铌酸锂晶圆是一种特殊的材料，其在光电集成领域有着广泛的应用。具体来说，铌酸锂晶圆是由铌酸锂材料制成的圆形薄片，具有优异的光学和电学性能，如低传输损耗、高电光调制效率等。这些特性使得铌酸锂晶圆在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域都有着重要的应用。

然而，由于铌酸锂材料的脆性较大，制作大尺寸的铌酸锂晶圆具有较大的难度。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆。而最近，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在武汉下线，这是目前全球综合性能最优的光电集成芯片，其实现了低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成，具有极高的技术价值和应用前景。